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，該公司開發半絕緣碳化矽（SiC）晶圓及氮化鎵（GaN）元件的技術，
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，通過經濟部技術處A+企業創新研發淬鍊計畫補助，
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，此計畫為期三年，
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，預定執行期間至2019年7月31日止。環球晶表示，
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，這項新材料開發，
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，主要應用於通訊元件，
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，將結合國內產、官、學、研相互的合作，
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，建立台灣在全球高頻通訊上游原物料的供應鏈，未來將進一步結盟國內外相關產業，促進高頻高功率通訊產業鏈的完整發展。環球晶表示，未來將以寬能隙材料氮化鎵在半絕緣的碳化矽基板為主軸，以研發應用於射頻（RF）用氮化鎵功率電晶體為目標，切入4.5G／5G基地台等產品應用市場。環球晶已投入相關前瞻研發超過五年，並且已具備A級技術水平。經由本計畫執行，除了在全球碳化矽晶圓供應鏈占有一席之地，也可開創台灣半絕緣性碳化矽基板市場的自主性。，