全球第二大晶片製造商SK海力士(Hynix)26日宣布,
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,已開發出全球第一個使用直通矽晶穿孔(TSV)技術的記憶晶片,
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,可望大幅提高處理速度和效率。
SK海力士表示,
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,這個高頻晶片的處理速度達每秒128GB,
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,比GDDR5晶片快三倍,
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,使用的電壓為1.2伏特,
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,也相對較低。另外,
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,這個晶片能省下40%的電力。
這個新產品由SK海力士與美國的超微(AMD)共同開發,
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,採用TSV技術並結合四個40奈米級的動態隨機存取記憶體(DRAM)。TSV技術能讓DRAM以較高的電效率連接。
SK海力士說,
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,這個以TSV技術為基礎的晶片,可用於要求高繪圖表現的裝置、超級電腦和伺服器,將於2014下半年開始量產。,