二大記憶體漲價 趨勢向上

鎧俠4日市Fab 6廠失火引發儲存型快閃記憶體(NAND Flash)供應緊張,

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,先前的三星華城廠區跳電,

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,也催化DRAM報價在本季率先上漲。記憶體業表示,

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,二大記憶體價格同漲,

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,產業也進入翻轉向上的正循環。集邦科技昨(8)日發布最新調查,

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,強調近一個月DRAM現貨價格走勢,已隨去年12月31日三星華城廠區發生跳電起舞,市場明顯感受漲勢已至。 集邦強調,雖然三星跳電事件並未對整體記憶體市場供給造成重大影響,但各產品別買方備貨意願明顯增強。集邦也上修首季DRAM報價走勢,由原先的「大致持平」調整為「小漲」,價格提前翻轉向上。其中,標準型記憶體首季合約價仍議定中,集邦預估持平甚至小漲可能性高。行動式記憶體受季節性淡季影響,首季拉貨動能偏弱,預估合約價將下跌5%以內。然而自去年12月中開始,除伺服器記憶體與繪圖用記憶體需求增溫,帶動整體價格走勢提前反轉外,NAND Flash報價也開始走揚。至於利基型記憶體,由於三星華城廠區Line 13的DRAM生產重心主要為20和25奈利基型記憶體,加上受現貨市場價格上揚的影響最直接,利基型記憶體價格將提早反彈,本季將上漲約5%。,

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