國家實驗研究院今日宣布 研發出「多重鰭高的鰭式場效電晶體」製程技術，
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，將比「鰭式場效電晶體（FinFET）架構，
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，降低約20%的製造成本，
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，且設計更具彈性，
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，計劃明年起開始移轉業界，
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，並希望能在5年內協助業界進入量產。
國研院表示，鰭式場效電晶體（FinFET）因其形狀有如魚鰭而得名，由於其以立體結構取代傳統電晶體的平面結構，縮小電晶體在晶片的面積，也降低電晶體的功耗，可提高晶片容納的電子元件密度。但目前各家投入的鰭式場效電晶體，均是單一鰭高電晶體。
國研院奈米元件實驗室製程服務組組長陳旻政說，鰭式場效電晶體相較於傳統場效電晶體的平面結構，其閘門做成類似魚鰭的叉狀3D架構，可於電路的左、右、上三側控制電路的接通與斷開，而國研院所研發出的多重鰭高鰭式場效電晶體，其不同鰭高的設計理念，可讓大小不同的電流擁有各自適合的頻道高度，進而縮小晶片面積。
他形容，可以將傳統場效電晶體、單一鰭高鰭式場效電晶體、多重鰭高鰭式場效電晶體，分別比喻為平房、高樓層單一面積房屋、以及高樓層卻擁有不同建築格局的房屋。
在有限的晶片面積上，多重鰭高鰭式場效電晶體可讓不同大小的電流「各住適合的房型」，達到晶片空間利用的最佳化，且比單一鰭高的鰭式場效電晶體節省20%製造成本。
陳旻政表示國研院已將這項技術申請專利，並計劃在5年內協助業界量產。，